Transphorm TP65H480G4JSG-TR

Hersteller-Teilenummer:

TP65H480G4JSG-TR

Hersteller:

Transphorm

Verpackung/Case:

PQFN-3(5x6)

Datenblatt:

TP65H480G4JSG-TR

Beschreibung:

PQFN-3(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	GaN-Transistoren (GaN HEMT)
Hersteller	Transphorm
Verpackung/Case	PQFN-3(5x6)
Kontinuierlicher Drainstrom	3.6A
Pd - Verlustleistung	13.2W
Betriebstemperatur	-55℃~+150℃
Drain-Source Durchbruchspannung	650V
Transistorpolarität	1 N-channel
Durchlasswiderstand (RDS(on))	560mΩ@8V

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