Qorvo UF4SC120023K4S

Hersteller-Teilenummer:

UF4SC120023K4S

Hersteller:

Qorvo

Verpackung/Case:

Datenblatt:

UF4SC120023K4S

Beschreibung:

Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	Qorvo
Verpackung/Case	-
Kontinuierlicher Drainstrom	53A
Pd - Verlustleistung	385W
Kanaltyp	1 N-channel
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V

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