VBsemi Elec VBA1101M

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	VBsemi Elec
Verpackung/Case	SO-8
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	470pF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1V
Gate-Ladung (Qg)	7.1nC@50V
Dauerstrom Drain (Id)	3.5A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	2.4W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	0.124Ω@10V,2.7A

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