Wayon WMN26N60C4

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Wayon
Verpackung/Case	TO-262-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.31nF@100V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3V
Gate-Ladung (Qg)	22.1nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	18A
Rückübertragungskapazität (Crss)	1.5pF@100V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Pd - Verlustleistung	135W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	160mΩ@10V,6A

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