NITRIDE YHJ-65P150TK

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	GaN-Transistoren (GaN HEMT)
Hersteller	NITRIDE
Verpackung/Case	TO-220
Kontinuierlicher Drainstrom	12A
Qg - Gesamtladung	12nC
Coss - Ausgangskapazität	29pF
Drain-Source Durchbruchspannung	650V
Ciss - Eingangskapazität	505pF
Crss - Rückübertragungskapazität	1pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	150mΩ@6V

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