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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD

制造商料号:

3DD13003E1D-BD

制造商:

封装:

TO-92-3

数据手册:

产品描述:

400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	三极管(BJT)
制造商	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
封装	TO-92-3
Operating Temperature	-
特征频率(fT)	5MHz
集射极击穿电压(Vceo)	400V
DC Current Gain	15@200mA,5V
集电极电流(Ic)	1.3A
集射极饱和电压(VCE(sat))	400mV
晶体管类型	NPN+PNP
耗散功率(Pd)	800mW
集电极截止电流(Icbo)	100uA

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