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产品详情
| 类型 | 产品描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 分类 | 单个FET、MOSFET | |
| 制造商 | AGMSEMI | |
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) | |
| 漏源电压 | 30V | |
| 工作温度- | -55℃~+150℃ | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A;18A | |
| 栅极阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V;1.5V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF;91pF | |
| 类型 | N-Channel + P-Channel | |
| 数量 | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| 输出电容(Coss) | 70pF;104pF | |
| RDS(on) | 17mΩ@10V;23mΩ@10V | |
| 栅极电荷(Qg) | 11nC@10V;19nC@10V | |
| Ciss-输入电容 | 441pF;690pF | |
| Pd - 功耗 | 20W |
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