Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60C1HD

制造商料号:

CS1N60C1HD

制造商:

封装:

TO-92-3

数据手册:

产品描述:

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	单个FET、MOSFET
制造商	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
封装	TO-92-3
漏源电压	600V
工作温度-	-55℃~+150℃
连续漏极电流(Id)	1.5A
栅极阈值电压(Vgs(th))	4V
反向传输电容(Crss@Vds)	5pF
类型	N-Channel
数量	-
输出电容(Coss)	27pF
RDS(on)	8Ω@10V
栅极电荷(Qg)	7.5nC@10V
Ciss-输入电容	170pF
Pd - 功耗	3W

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