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产品详情
| 类型 | 产品描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 制造商 | GOFORD | |
| 封装 | DFN-8L(5x6) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 8668pF@10V | |
| 类型 | 1 piece P-channel | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 134nC@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 反向传输电容(Crss) | 1181pF@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V,20A |
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ISO 9001:2015
ISO 14001:2015