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GOFORD G100C04D52
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产品详情
| 类型 | 产品描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 分类 | 单个FET、MOSFET | |
| 制造商 | GOFORD | |
| 封装 | DFN5x6-8L | |
| 漏源电压 | 40V | |
| 工作温度- | -55℃~+150℃ | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A;24A | |
| 栅极阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 156pF;213pF | |
| 类型 | N-Channel + P-Channel | |
| 数量 | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| 输出电容(Coss) | 173pF;224pF | |
| RDS(on) | 7mΩ@10V;9mΩ@10V | |
| 栅极电荷(Qg) | 29nC@10V;45nC@10V | |
| Ciss-输入电容 | 2.213nF;2.451nF |
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