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HUAYI HYG082N03LR1C1
制造商料号:
HYG082N03LR1C1
制造商:
封装:
DFN-8(3x3)
数据手册:
产品描述:
30V 32A 7mΩ@10V,10A 21.4W 1.8V 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
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产品详情
| 类型 | 产品描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 制造商 | HUAYI | |
| 封装 | DFN-8(3x3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 787pF | |
| 类型 | 1 N-channel | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.4W | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,10A |
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Certifications:
ISO 9001:2015
ISO 14001:2015