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Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD

制造商料号:

SGM40HF12A1TFD

制造商:

封装:

数据手册:

产品描述:

40A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	IGBT管/模块
制造商	Hangzhou Silan Microelectronics
封装	-
栅极阈值电压(Vge(th))	5.5V@250uA
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)
输入电容(Cies)	6.58nF@25V
关断延迟时间(Td(off))	611ns
栅极电荷量(Qg)	413nC@40A,±15V
关断损耗(Eoff)	2.2mJ
导通损耗(Eon)	9.3mJ
集射极击穿电压(Vces)	1.2kV
反向恢复时间(Trr)	117ns
集电极电流(Ic)	40A
集射极饱和电压(VCE(sat))	2.6V@20A,15V
耗散功率(Pd)	-
开启延迟时间(Td(on))	425ns
IGBT类型	IGBT module
正向压降(Vf)	2.6V@40A

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