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Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N60M

制造商料号:

SVF2N60M

制造商:

封装:

TO-251-3

数据手册:

产品描述:

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	单个FET、MOSFET
制造商	Hangzhou Silan Microelectronics
封装	TO-251-3
漏源电压	600V
工作温度-	-55℃~+150℃
连续漏极电流(Id)	2A
栅极阈值电压(Vgs(th))	4V
反向传输电容(Crss@Vds)	1.1pF
类型	N-Channel
数量	1 N-channel
输出电容(Coss)	35.7pF
RDS(on)	4.2Ω@10V
栅极电荷(Qg)	5.67nC
Ciss-输入电容	250.1pF
Pd - 功耗	34W

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