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Jingdao Microelectronics V4N65
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产品详情
| 类型 | 产品描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 分类 | 单个FET、MOSFET | |
| 制造商 | Jingdao Microelectronics | |
| 封装 | TO-251W | |
| 漏源电压 | 650V | |
| 工作温度- | -55℃~+150℃ | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 栅极阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF | |
| 类型 | N-Channel | |
| 数量 | 1 N-channel | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| RDS(on) | 2.6Ω@10V | |
| 栅极电荷(Qg) | 13nC@10V | |
| Ciss-输入电容 | 560pF | |
| Pd - 功耗 | 54W |
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