JSMSEMI 2N3906

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	JSMSEMI
Verpackung/Case	TO-92-3
Transitfrequenz (fT)	250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	40V
DC Current Gain	100@10mA,1V
Kollektorstrom (Ic)	200mA
Sättigungsspannung VCE(sat)	400mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	625mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	100nA

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