JSMSEMI 2N5401

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	JSMSEMI
Verpackung/Case	TO-92-3
Transitfrequenz (fT)	100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	150V
DC Current Gain	150@10mA,5V
Kollektorstrom (Ic)	600mA
Sättigungsspannung VCE(sat)	500mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	625mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	50nA

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