AGM-Semi AGM12N10AP

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	AGM-Semi
Verpackung/Case	PDFN3.3x3.3
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.08nF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.8V
Gate-Ladung (Qg)	22nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	55A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	83W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	9.3mΩ@10V,20A

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