AGM-Semi AGM303D

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	AGM-Semi
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2.8nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.2V
Gate-Ladung (Qg)	27nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	110A
Rückübertragungskapazität (Crss)	280pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	70W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	4.2mΩ@4.5V,15A

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