AGM-Semi AGM418MNA

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	AGM-Semi
Verpackung/Case	PDFN5x6
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	660pF@20V
Typ	2 N-Channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.2V
Gate-Ladung (Qg)	8.9nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	22A
Rückübertragungskapazität (Crss)	33pF@20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Pd - Verlustleistung	3.7W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	17mΩ@10V,15A

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