Diodes Incorporated BC857BV-7

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	Diodes Incorporated
Verpackung/Case	SOT-666-6
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transitfrequenz (fT)	100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	45V
DC Current Gain	220@2.0mA,5.0V
Kollektorstrom (Ic)	100mA
Sättigungsspannung VCE(sat)	100mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	150mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	4uA

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