Diodes Incorporated MMBT5401Q-7-F

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	Diodes Incorporated
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transitfrequenz (fT)	100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	150V
DC Current Gain	60@10mA,5V
Kollektorstrom (Ic)	600mA
Sättigungsspannung VCE(sat)	200mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	310mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	50uA

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