Tokmas CID10N65F

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	GaN-Transistoren (GaN HEMT)
Hersteller	Tokmas
Verpackung/Case	TO-220F-3L
Kontinuierlicher Drainstrom	10A
Schwellenspannung G-S	1.6V
Pd - Verlustleistung	75W
Betriebstemperatur	-50℃~+150℃
Qg - Gesamtladung	2.3nC
Coss - Ausgangskapazität	27pF
Drain-Source Durchbruchspannung	650V
Transistorpolarität	1 N-channel
Ciss - Eingangskapazität	83pF
Crss - Rückübertragungskapazität	0.4pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	160mΩ@6V

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