Tokmas CID18N65D

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	GaN-Transistoren (GaN HEMT)
Hersteller	Tokmas
Verpackung/Case	DFN-8(8x8)
Kontinuierlicher Drainstrom	17A
Schwellenspannung G-S	1.7V
Pd - Verlustleistung	113W
Betriebstemperatur	-55℃~+150℃
Technologie	-
Qg - Gesamtladung	3.3nC
Drain-Source Durchbruchspannung	650V
Transistorpolarität	1 N-channel
Ciss - Eingangskapazität	125pF
Crss - Rückübertragungskapazität	0.5pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	100mΩ@10V

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