Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS2N60A4H

Hersteller-Teilenummer:

CS2N60A4H

Hersteller:

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

Verpackung/Case:

TO-252-2(DPAK)

Datenblatt:

CS2N60A4H

Beschreibung:

600V 2A 35W 4V 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Verpackung/Case	TO-252-2(DPAK)
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Dauerstrom Drain (Id)	2A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Pd - Verlustleistung	35W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	-

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