Diodes Incorporated DMNH4006SPSQ-13

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Diodes Incorporated
Verpackung/Case	PowerDI5060-8
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2.28nF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	50.9nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	110A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Pd - Verlustleistung	1.6W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	7mΩ@10V,50A

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