GOSEMICON GBS032R4PMBR

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	GOSEMICON
Verpackung/Case	PDFN-8L(3.3x3.3)
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2.1nF
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.1V
Gate-Ladung (Qg)	18nC@4.5V
Dauerstrom Drain (Id)	168A
Rückübertragungskapazität (Crss)	100pF@15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	83W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	1.85mΩ@10V

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