GOSEMICON GBS65060TOB

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	GOSEMICON
Verpackung/Case	TO-247
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	4.3nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4.5V
Gate-Ladung (Qg)	95nC
Dauerstrom Drain (Id)	36A
Rückübertragungskapazität (Crss)	4pF@400V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	192W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	50mΩ@10V,16.4A

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