SUPSiC GC2M0280120D

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	SUPSiC
Verpackung/Case	TO247-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Konfiguration	-
Kanaltyp	1 N-channel
Qg - Gesamtladung	19nC
Coss - Ausgangskapazität	31pF
Crss - Rückübertragungskapazität	4pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	320mΩ@20V
Kontinuierlicher Drainstrom	11A
Schwellenspannung G-S	3.1V
Encapsulated Type	Single Tube
Pd - Verlustleistung	69.4W
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V
Ciss - Eingangskapazität	267pF

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