SUPSiC GC3M0060065K

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	SUPSiC
Verpackung/Case	TO-247-4
Operating Temperature	-40℃~+175℃
Konfiguration	-
Kanaltyp	1 N-channel
Qg - Gesamtladung	46nC
Coss - Ausgangskapazität	80pF
Crss - Rückübertragungskapazität	9pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	60mΩ@15V
Kontinuierlicher Drainstrom	37A
Schwellenspannung G-S	2.3V
Encapsulated Type	Single Tube
Pd - Verlustleistung	150W
Drain-Source Durchbruchspannung	650V
Ciss - Eingangskapazität	1020pF

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