HUASHUO HSM3206

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUASHUO
Verpackung/Case	SO-8
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2.295nF@15V
Typ	2 N-Channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	21nC@4.5V
Dauerstrom Drain (Id)	13A
Rückübertragungskapazität (Crss)	210pF@15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	1.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	6mΩ@4.5V,10A

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