HUASHUO HSS0008

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUASHUO
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	-
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1V
Gate-Ladung (Qg)	9.7nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	1.2A
Rückübertragungskapazität (Crss)	16.4pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	1W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	310mΩ@4.5V,0.5A

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