HUAYI HY029N10B

Hersteller-Teilenummer:

HY029N10B

Hersteller:

HUAYI

Verpackung/Case:

TO-263-2

Datenblatt:

HY029N10B

Beschreibung:

100V 270A 394.7W 4V 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUAYI
Verpackung/Case	TO-263-2
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Dauerstrom Drain (Id)	270A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	394.7W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	-

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