HUAYI HYG015N04LS1C2

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUAYI
Verpackung/Case	DFN-8(5.2x5.9)
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	4.05nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.9V
Gate-Ladung (Qg)	59nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	150A
Rückübertragungskapazität (Crss)	33pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Pd - Verlustleistung	75W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	1.4mΩ@10V

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