HUAYI HYG110P04LQ2C2

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUAYI
Verpackung/Case	PDFN-8(5.9x5.2)
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	4468pF
Typ	1 piece P-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	-
Gate-Ladung (Qg)	76nC
Dauerstrom Drain (Id)	55A
Rückübertragungskapazität (Crss)	140pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Pd - Verlustleistung	62.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	9mΩ@10V

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