JSMSEMI IRF830APBF

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	JSMSEMI
Verpackung/Case	TO-220
Operating Temperature	-40℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	560pF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	12nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	4A
Rückübertragungskapazität (Crss)	10pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	550V
Pd - Verlustleistung	33W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	2.2Ω@10V,2A

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