JSMSEMI SI2333DS-T1-GE3

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	JSMSEMI
Verpackung/Case	SOT23-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	989pF@10V
Typ	1 piece P-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	-
Gate-Ladung (Qg)	11.1nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	4.2A
Rückübertragungskapazität (Crss)	75.5pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Pd - Verlustleistung	1.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	30mΩ@4.5V,4A

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