onsemi ISL9V3040D3ST-F085C

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	IGBT-Transistoren / Module
Hersteller	onsemi
Verpackung/Case	DPAK(TO-252)
Gate-Emitter-Schwelle (Vge(th))	1.6V@4V,6A
Operating Temperature	-
Sperrerholzeit (Trr)	-
Eingangskapazität (Cies)	-
Ausschaltverzögerung (Td(off))	4us
Gate-Ladung (Qg)	17nC
Kollektorstrom (Ic)	21A
Pd - Verlustleistung	150W
Einschaltverzögerung (Td(on))	-
IGBT-Typ	-
Einschaltenergie (Eon)	-
Durchbruchspannung Kollektor-Emitter (Vces)	430V

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