onsemi ISL9V3040S3ST-F085C

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	IGBT-Transistoren / Module
Hersteller	onsemi
Verpackung/Case	D2PAK
Gate-Emitter-Schwelle (Vge(th))	-
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Sperrerholzeit (Trr)	2.1us
Eingangskapazität (Cies)	-
Kollektorstrom (Ic)	21A
Pd - Verlustleistung	150W
IGBT-Typ	-
Einschaltenergie (Eon)	-
Durchbruchspannung Kollektor-Emitter (Vces)	400V

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