InventChip IV1Q12017T4G

Hersteller-Teilenummer:

IV1Q12017T4G

Hersteller:

InventChip

Verpackung/Case:

TO-247-4

Datenblatt:

IV1Q12017T4G

Beschreibung:

TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	InventChip
Verpackung/Case	TO-247-4
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V

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