InventChip IV1Q12080T3

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	InventChip
Verpackung/Case	TO-247-3
Kontinuierlicher Drainstrom	42A
Schwellenspannung G-S	3.6V
Encapsulated Type	Single Tube
Pd - Verlustleistung	300W
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Konfiguration	-
Kanaltyp	1 N-channel
Qg - Gesamtladung	76nC
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V
Ciss - Eingangskapazität	1680pF
Crss - Rückübertragungskapazität	6.7pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	80mΩ@20V

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