JTD JTDBC857BDW

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	JTD
Verpackung/Case	SOT-363
Transitfrequenz (fT)	200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	45V
Kollektorstrom (Ic)	200mA
Sättigungsspannung VCE(sat)	300mV
Transistortyp	PNP+PNP
Pd - Verlustleistung	300mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	15nA

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