JTD JTDSS8550W

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	JTD
Verpackung/Case	SOT-323
Transitfrequenz (fT)	100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	25V
Kollektorstrom (Ic)	1.5A
Sättigungsspannung VCE(sat)	500mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	200mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	100nA

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