BORN M8550

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	BORN
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transitfrequenz (fT)	150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	25V
DC Current Gain	400@100mA,1V
Kollektorstrom (Ic)	0.8A
Sättigungsspannung VCE(sat)	500mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	0.2W
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	100nA

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