BORN MMBT5551

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	BORN
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transitfrequenz (fT)	100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	160V
DC Current Gain	80@1mA,5V
Kollektorstrom (Ic)	600mA
Sättigungsspannung VCE(sat)	200mV
Transistortyp	NPN
Pd - Verlustleistung	300mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	50nA

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