Minos MLG25N120RK

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	IGBT-Transistoren / Module
Hersteller	Minos
Verpackung/Case	TO-247
Gate-Emitter-Schwelle (Vge(th))	5.5V@1mA
Eingangskapazität (Cies)	2.37nF@30V
Ausschaltverzögerung (Td(off))	198ns
Gate-Ladung (Qg)	142nC@25A,15V
Kollektorstrom (Ic)	25A
Sättigungsspannung VCE(sat)	2.5V@25A,15V
Pd - Verlustleistung	208W
Einschaltverzögerung (Td(on))	34ns
IGBT-Typ	FS(Field Stop)
Durchbruchspannung Kollektor-Emitter (Vces)	1350V

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