Minos MLG60T65FUK

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	IGBT-Transistoren / Module
Hersteller	Minos
Verpackung/Case	TO-247
Gate-Emitter-Schwelle (Vge(th))	5.5V@1mA
Eingangskapazität (Cies)	3036pF@25V
Ausschaltverzögerung (Td(off))	-
Gate-Ladung (Qg)	137nC@60A,15V
Kollektorstrom (Ic)	60A
Sättigungsspannung VCE(sat)	-
Pd - Verlustleistung	375W
Einschaltverzögerung (Td(on))	-
IGBT-Typ	FS(Field Stop)
Durchlassspannung (Vf)	-
Durchbruchspannung Kollektor-Emitter (Vces)	650V

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