onsemi MMBFJ111

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	JFETs
Hersteller	onsemi
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss)	-
FET-Typ	-
Pd - Verlustleistung	350mW
Durchlasswiderstand (RDS(on))	30Ω
Sättigungs-Drainstrom (Idss @ Vds, Vgs=0)	20mA@15V
Gate-Source-Abschaltspannung (VGS(off))	3V@1uA
Gate-Source-Durchbruchspannung (V(BR)GSS)	35V

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