onsemi SMMBFJ177LT1G

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	JFETs
Hersteller	onsemi
Verpackung/Case	TO-236-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss)	11pF@10V
FET-Typ	-
Pd - Verlustleistung	225mW
Durchlasswiderstand (RDS(on))	300Ω
Sättigungs-Drainstrom (Idss @ Vds, Vgs=0)	1.5mA@15V
Gate-Source-Abschaltspannung (VGS(off))	800mV@10nA
Gate-Source-Durchbruchspannung (V(BR)GSS)	30V

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