ORIENTAL SEMI OSG65R1K4AF

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ORIENTAL SEMI
Verpackung/Case	TO-251-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	-
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	6.7nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	4A
Rückübertragungskapazität (Crss)	0.9pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	28.4W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	1.4Ω@10V,2A

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