ORIENTAL SEMI OSG65R360DTF

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ORIENTAL SEMI
Verpackung/Case	TO-252-2
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	-
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3.9V
Gate-Ladung (Qg)	13.3nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	11A
Rückübertragungskapazität (Crss)	2.2pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	63W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	360mΩ@10V,3A

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